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低溫霍爾效應測量磁場應用
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低溫霍爾效應測量磁場應用

低溫霍爾效應測量磁場應用 KANG Static Insert SN 150
上海天天看代理英國 NanoMagnetics 儀器霍爾效應測量係統為 Van der Pauw 和 Hall Bar 測量提供了一個創新的解決方案. 可用於測量半導體材料的載流子濃度, 遷移率, 電阻率, 霍爾係數, 導電類型等重要參數, 是理解和研究半導體器件和半導體材料電學特性的必備工具.

如下是某知名大學低溫霍爾效應測量案例
1. 測試樣品: NMI 標準樣品, P15-A
2. 應用電流 1e- 4a
3. VDP 測量的外加磁場為 1T
4. 在 1.5K 時, 磁場掃描 為 0 - 5T - 0 循環

霍爾效應測試儀器

霍爾效應測試儀

英國 NanoMagnetics 霍爾效應測試儀
電阻率測量範圍: 10-4 至 109 Ω-cm
遷移率: 1 至 107 cm2 / Volt-sec
濃度: 107 至 1021 per cm3
電源: ±2 nA 至 ±20 mA, ±12 V compliance
最小霍爾電壓測量: 0.1 μV

支持 Van der Pauw 和 Hall bar 成形試樣
磁場: 0.6 Tesla 或 1 Tesla 永久磁鐵
溫度範圍在 80 - 750K, 分辨率 ±0.2 K, 單一係統
Pt - 100 電阻溫度計, 750 K 加熱器, PID 溫控
樣品尺寸 從 5 x 5 mm 至 15 mm x 15 mm 並且厚度 < 2 mm


英國 NanoMagnetics 霍爾效應測量係統, 電阻測量結果

300K 時 電阻測量結果

電阻溫度圖

ContactLead
[I+I-V+V-]

Resistance

[Ohm]

低溫霍爾效應測量磁場應用

1-2-1-2

3.62E +03

3-4-3-4

3.62E +03

1-3-1-3

3.87E +03

2-4-2-4

3.93E +03

*1-2 和 3-4 電阻幾乎相同. 1-3 和2-4 ( 對角線 ) 電阻幾乎相同

冷卻和加熱圖顯示了相同的結果, 因此, 塞諾克斯傳感器和樣品根據靜態插入的位置是合適的, 否則圖就不一樣了. 此外,測量結果是可重複的. [I+I-V+V-] 觸點引線為 [1-2-4-3]


在 1.5K 時霍爾效應 Van der Pauw 測量結果

接觸頭

[I+I-V+V-]

電阻率

[Ohm.cm]

Sh.電阻

[Ohm/sq]

Carr.Density

[/cc]

HallCoeff.

[cc/C]

Mobility

[cm^2/(V.s)]

CarrType

[+/-]

1-2-3-4

3.54E - 04

3.54E + 02

6.00E + 17

1.04E + 01

2.94E + 04

-1.00E +00

2-3-4-1

3.54E - 04

3.54E + 02

6.00E + 17

1.04E + 01

2.94E + 04

-1.00E +00


電阻磁場圖
電阻磁場圖-霍爾效應測量係統
霍爾係數 - 溫度圖
霍爾係數-霍爾效應測量係統
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