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考夫曼離子源應用於離子束拋光工藝
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考夫曼離子源應用於離子束拋光工藝

上海天天看美國 KRI 考夫曼離子源成功應用於離子束拋光工藝 ( Ion Beam Figuring, IBF )
離子束拋光加工已逐漸成為光學零件表麵超精加工常用的最後一道工藝, 離子源是離子束拋光機的核心部件. 上海天天看美國 KRI 直流電源式考夫曼離子源 KDC 係列成功應用於光學鍍膜離子束拋光機 ( IBF Optical coating ) 及晶體矽片離子束拋光機  ( IBF Clrystalline ) 工藝.
考夫曼離子源通過控製離子的強度及濃度, 使拋光刻蝕速率更快更準確, 拋光後的基材上獲得更平坦, 均勻性更高的薄膜表麵. KDC 考夫曼離子源內置型的設計更符合離子源於離子拋光機內部的移動運行. 上海天天看是美國 KRI 考夫曼離子源中國總代理.

KRI 離子源離子束拋光實際案例一:
1. 基材: 100 mm 光學鏡片
2. 離子源條件: Vb: 800 V ( 離子束電壓 ), Ib: 84 mA ( 離子束電流 ) , Va: -160 V ( 離子束加速電壓 ), Ar gas ( 氬氣 ).

離子束拋光前平坦度影像呈現圖
KRI 離子源應用

離子束拋光後平坦度影像呈現圖KRI 離子源應用


KRI 離子源離子束拋光實際案例:
1. 基材: 300 mm 晶體矽片
2. 離子源條件: Vb: 1000 V ( 離子束電壓 ), Ib: 69 mA ( 離子束電流 ), Va: -200 V ( 離子束加速電壓 ) Ar gas ( 氬氣 )

離子束拋光前平坦度影像呈現圖
離子源離子拋光

離子束拋光後平坦度影像呈現圖離子源離子拋光

 
KRI 離子源實際安裝案例一:  KDC 10 使用於光學鍍膜離子束拋光機
離子源 KDC 10
KRI 離子源實際安裝案例二: KDC 40 使用於晶體矽片離子束拋光機
離子源 KDC 40

上海天天看美國 KRI 考夫曼離子源 KDC 係列根據客戶離子拋光工藝條件提供如下型號:

型號

KDC 10

KDC 40

KDC 75

KDC 100

KDC 160

電壓

DC magnetic confinement

- 陰極燈絲

1

1

2

2

2

- 陽極電壓

0-100V DC

電子束

電子束

- 柵極

專用,自對準

- 柵極直徑

1 cm

4 cm

7.5 cm

12 cm

16 cm


1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源 Gridded 和霍爾離子源 Gridless. 美國考夫曼離子源曆經 40 年改良及發展已取得多項專利. 離子源廣泛用於離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射沉積 IBSD 領域, 上海天天看是美國考夫曼離子源 (離子槍) 中國總代理.

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