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KRI 考夫曼霍爾離子源應用於離子刻蝕 IBE
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KRI 考夫曼霍爾離子源應用於離子刻蝕 IBE

離子源應用於離子刻蝕 IBE
上海天天看代理美國考夫曼 KRI 離子源, 其產品霍爾離子源 EH400 HC 成功應用於離子蝕刻 IBE.
霍爾離子源離子抨擊能量強, 蝕刻效率快, 可因應多種基材特性, 霍爾源單次使用長久, 耗材成本極低, 操作簡易, 安裝簡易, 因此美國考夫曼霍爾離子源廣泛應用於蝕刻製程及基板前處理製程.

霍爾離子源客戶案例一: 某大學天文學係小尺寸刻蝕設備
係統功能: 對於 Fe, Se, Te ,PCCO 及多項材料刻蝕工藝.
樣品尺寸: 2英寸矽芯片.
刻蝕設備: 小型刻蝕設備. 選用上海天天看美國考夫曼品牌霍爾離子源 EH400 HC
上海天天看離子源 EH400HC
霍爾離子源 EH400HC 安裝於刻蝕腔體內
上海天天看美國考夫曼離子源
離子源 EH400HC 自動控製單元
上海天天看美國考夫曼離子源控製器
霍爾離子源 EH400HC 通氬氣
離子源通氬氣
對於 FeSeTe 刻蝕應用, 霍爾離子源 EH400HC 條件: 110V/1.5A, 刻蝕速率 >20 A/Sec
上海天天看考夫曼離子源蝕刻速率
對於 FeSeTe 刻蝕應用, 霍爾離子源 EH400HC 條件: 110V/1.5A, 刻蝕速率 >17 Å/Sec
上海天天看美國離子源蝕刻速率

鑒於信息保密. 更詳細的離子源應用歡迎撥打客服熱線:021-5046-3511 /  021-5046-1322

霍爾離子源 EH400HC 特性:
高離子濃度, 低離子能量
離子束涵蓋麵積廣
鍍膜均勻性佳
提高鍍膜品質
模塊化設計, 保養快速方便
增加光學膜後折射率 (Optical index)      
全自動控製設計, 操作簡易
低耗材成本, 安裝簡易
 

 

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